12064-03-8
中文名稱
銻化鎵
英文名稱
GALLIUM ANTIMONIDE
CAS
12064-03-8
EINECS 編號
235-058-8
分子式
GaSb
MDL 編號
MFCD00016101
分子量
191.48
MOL 文件
12064-03-8.mol
更新日期
2024/05/13 08:46:54
12064-03-8 結(jié)構(gòu)式
基本信息
中文別名
銻化鎵銻化鎵, 99.99% (METALS BASIS)
英文別名
GALLIUM ANTIMONIDEantimony,compd.withgallium(1:1)
GALLIUM ANTIMONIDE PIECES -6 MESH &
Gallium antimonide, single crystal substrate (100)
GALLIUM ANTIMONIDE, 99.999%
Gallium antimonide, 99.99% (metals basis)
Gallium antimonide, 99% (metals basis)
所屬類別
無機化工：稀土金屬、釔或鈧的氧化物物理化學(xué)性質(zhì)
熔點980 °C(lit.)
密度5.62 g/mL at 25 °C(lit.)
形態(tài)pieces
顏色brown cubic crystals, crystalline
電阻率 (resistivity)~0.1 Ω-cm
水溶解性Insoluble in water.
晶體結(jié)構(gòu)Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
暴露限值ACGIH: TWA 0.5 mg/m3
NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3
NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3
CAS 數(shù)據(jù)庫12064-03-8(CAS DataBase Reference)
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Antimony, compd. with gallium (1:1) (12064-03-8)
安全數(shù)據(jù)
警示詞警告
危險性描述H302+H332-H411
防范說明P273
危險品標(biāo)志Xn,N
危險類別碼R20/22-R51/53
安全說明S61
危險品運輸編號UN 1549 6.1/PG 3
WGK Germany2
TSCAYes
危險等級6.1
包裝類別III
海關(guān)編碼2853909090
制備方法
方法1
把20g鎵、34.94g銻放進石墨盤中，裝入石英管內(nèi)，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。
為了制得GaSb單晶，可以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態(tài)的GaSb從盤的一端開始固化形成結(jié)晶。如欲制成半導(dǎo)體用GaSb時，所用原料盤及石英管均應(yīng)是高純度的制品，必要時可進行區(qū)域熔融提純。常見問題列表
應(yīng)用
銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導(dǎo)體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數(shù)為0.60959nm。GaSb具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能，常被用做襯底材料，應(yīng)用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激光器。此外，Te摻雜的GaSb可用于制備高光電轉(zhuǎn)化效率的熱光伏器件、迭層太陽能電池及微波器件等。晶體生長
通常從熔體中生長單晶的最常見方法是直拉法（CZ）。但是對于GaSb材料，單晶生長過程中Sb元素更易離解揮發(fā)，將導(dǎo)致熔體內(nèi)Ga：Sb化學(xué)計量比失衡，從而產(chǎn)生位錯缺陷，甚至畸變?yōu)槎嗑?。因此在GaSb單晶生長過程中，經(jīng)常采用在普通直拉法坩堝中的熔體表面覆蓋一層液態(tài)覆蓋劑的方法，用來封閉GaSb熔體，控制熔體中Sb元素的離解揮發(fā)，從而實現(xiàn)GaSb晶體的穩(wěn)定生長，這就是液封直拉法（LEC）。同時，根據(jù)GaSb在熔點附近的離解壓大小，在生長室內(nèi)充入一定壓力的惰性氣體，加強對Sb元素離解揮發(fā)的抑制作用。采用LEC法制備GaSb單晶的優(yōu)點是設(shè)備結(jié)構(gòu)相對簡單，可靠性更高；單晶爐設(shè)有觀察窗口，晶體的生長過程可實時觀測，晶體的生長參數(shù)可依據(jù)其生長狀態(tài)及時調(diào)整。但是采用LEC法制備GaSb單晶的過程中也存在較多問題，比如單晶爐內(nèi)空間相對開放，爐體內(nèi)熱對流相對復(fù)雜，晶體生長缺陷受拉制工藝影響較大，多晶料中Sb元素更易揮發(fā)等。