22398-80-7
中文名稱(chēng)
磷化銦
英文名稱(chēng)
INDIUM PHOSPHIDE
CAS
22398-80-7
EINECS 編號(hào)
244-959-5
分子式
InP
MDL 編號(hào)
MFCD00016153
分子量
145.79
MOL 文件
22398-80-7.mol
更新日期
2023/03/20 19:41:25
22398-80-7 結(jié)構(gòu)式
基本信息
中文別名
磷化銦磷化銦晶體INP
磷化銦, 99.9999% (METALS BASIS)
磷化銦, 多晶塊, 99.99% (METALS BASIS)
磷化銦, 99.999% (METALS BASIS)
英文別名
INDIUM(III) PHOSPHIDEIndium monophosphide
Indium phosphide (InP)
indiummonophosphide
InP
Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM
Indium phosphide wafer
Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
Indiumphosphidepolycrystallinelump
Indiumphsophidewafer
INDIUM(III) PHOSPHIDE, PIECES, 3-20 MESH , 99.998%
Indium phosphide, polycrystalline lump, 99.99%
polycrystallinelump
INDIUM PHOSPHIDE WAFER - 51MM DIA. X 0.35MM
INDIUM PHOSPHIDE LUMP
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis)
Phosphinetriylindium(III)
Phosphinidyneindium(III)
所屬類(lèi)別
無(wú)機(jī)化工產(chǎn)品: 無(wú)機(jī)鹽: Cm磷化合物及磷酸鹽物理化學(xué)性質(zhì)
外觀性狀具有瀝青光澤的深灰色晶體。熔點(diǎn)1070℃。熔點(diǎn)下離解壓為2.75 Mpa。極微溶于無(wú)機(jī)酸。介電常數(shù)：10.8。電子遷移率：約4600 cm2/V?s?？昭ㄟw移率：約150 cm2/V?s。具有半導(dǎo)體的特性。
熔點(diǎn)1070°C
密度4,787 g/cm3
溶解度slightly soluble in acid solutions
形態(tài)pieces
顏色黑色
水溶解性Insoluble in water.
晶體結(jié)構(gòu)Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck14,4953
暴露限值ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
CAS 數(shù)據(jù)庫(kù)22398-80-7(CAS DataBase Reference)
(IARC)致癌物分類(lèi)2A (Vol. 86) 2006
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Indium phosphide (InP) (22398-80-7)
安全數(shù)據(jù)
警示詞危險(xiǎn)
危險(xiǎn)性描述H350-H361-H372
防范說(shuō)明P201-P308+P313
危險(xiǎn)品標(biāo)志T
安全說(shuō)明S24/25
危險(xiǎn)品運(yùn)輸編號(hào)3288
WGK Germany3
RTECS號(hào)NL1800000
TSCAYes
毒害物質(zhì)數(shù)據(jù)22398-80-7(Hazardous Substances Data)
毒性mouse,LD,intraperitoneal,> 5gm/kg (5000mg/kg),ENDOCRINE: CHANGES IN SPLEEN WEIGHTLUNGS, THORAX, OR RESPIRATION: CHANGES IN LUNG WEIGHTBLOOD: "CHANGES IN SERUM COMPOSITION (E.G., TP, BILIRUBIN, CHOLESTEROL)",Journal of Occupational Health. Vol. 38, Pg. 6, 1996.
應(yīng)用領(lǐng)域
用途一
用作半導(dǎo)體材料，用于光纖通訊技術(shù)，需要1.1～1.6μm范圍內(nèi)的光源和接受器。在 InP襯底上生長(zhǎng)In-GaAsP雙異質(zhì)結(jié)激光器既能滿(mǎn)足晶格匹配，又能滿(mǎn)足波長(zhǎng)范圍的要求。制備方法
方法一
用高壓?jiǎn)尉t制備磷化銦單晶是最主要的方法，并用摻等電子雜質(zhì)的方法降低晶體的位錯(cuò)密度。而氣相外延，多采用In-PCl3-H2系統(tǒng)的歧化法，在該工藝中用銦(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之間的反應(yīng)來(lái)生長(zhǎng)磷化銦層。氣相外延將石英反應(yīng)管放在雙溫區(qū)電爐中，已凈化的高純氫氣經(jīng)計(jì)量通入，氫氣也用來(lái)稀釋三氯化磷，此時(shí)彭泡器保持在0℃，通過(guò)反應(yīng)管內(nèi)的氫氣線(xiàn)速度為14 cm/min。外延生長(zhǎng)分為誘個(gè)階段進(jìn)行。
在第一階段，將盛有銦的石英舟放在電爐中源區(qū)，通入氫氣并加熱到700～850℃，再用氫氣將三氯化磷引入，在銦源上方被還原成磷蒸氣和氯化氫。鎘化氫與銦反應(yīng)生成一氯化銦蒸氣在管中遷移。磷溶解在銦中直至飽和為止。
在第二階段，銦源保持在原位置不加熱，單晶襯底放在電爐的第二加溫區(qū)后，在氫氣氛下加熱到600～750℃。首先用氫氣將三氯化磷引入到管內(nèi)對(duì)襯底進(jìn)行氣相腐蝕，清洗襯底表面。再將氫氣直接引入反應(yīng)管，并把源加熱到它的過(guò)飽和溫度(在操作中此溫度比襯底晶體的溫度高100℃)。然后通過(guò)氫氣鼓泡將三氯化磷引入，這時(shí)磷蒸氣與在源區(qū)生成的一氯化銦反應(yīng)，在襯底上淀積生長(zhǎng)出磷化銦層。當(dāng)外延生長(zhǎng)完成后，向系統(tǒng)中通入純氫氣，將兩個(gè)溫區(qū)冷卻到室溫，取出產(chǎn)物，制得磷化銦成品。
22398-80-7(安全特性,毒性,儲(chǔ)運(yùn))
儲(chǔ)運(yùn)特性
庫(kù)房通風(fēng)低溫干燥可燃性危險(xiǎn)特性
高熱產(chǎn)生有毒磷氧化物煙霧類(lèi)別
有毒物品滅火劑
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 霧狀水職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
TWA 0.1 毫克 (銦)/立方米磷化銦價(jià)格(試劑級(jí))
| 報(bào)價(jià)日期 | 產(chǎn)品編號(hào) | 產(chǎn)品名稱(chēng) | CAS號(hào) | 包裝 | 價(jià)格 |
| 2025/02/05 | A15509 | 磷化銦(III), 多晶塊, 99.99% (metals basis) Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) | 22398-80-7 | 1g | 689元 |
| 2025/02/05 | A15509 | 磷化銦(III), 多晶塊, 99.99% (metals basis) Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) | 22398-80-7 | 5g | 3554元 |
| 2025/02/05 | 036283 | 磷化銦(III), 99.999% (metals basis) Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis), Thermo Scientific Chemicals | 22398-80-7 | 1g | 1501元 |