1312-41-0
中文名稱(chēng)
銻化銦
英文名稱(chēng)
Indium(III) antimonide
CAS
1312-41-0
EINECS 編號(hào)
215-192-3
分子式
InSb
MDL 編號(hào)
MFCD00016146
分子量
236.58
MOL 文件
1312-41-0.mol
更新日期
2024/05/13 08:47:02
1312-41-0 結(jié)構(gòu)式
基本信息
中文別名
銻化銦銻化銦晶片
銻化銦, 99.999% (METALS BASIS)
銻化銦, ELECTRONIC GRADE, 99.99% (METALS BASIS)
英文別名
INDIUM ANTIMONIDEantimonycompd.withindium(1:1)
indiumcompd.withantimony(1:1)
Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM
Indiumantimonideblackxtl
indium stibide
INDIUM ANTIMONIDE, 99.99+%
Indium antimonide, 99.5%
INDIUM ANTIMONIDE, 99.999%
indium antimonide, electronic grade
Antimony-indium
Indium antimonide, Electronic Grade, 99.99% (metals basis)
Indium antimonide, 99.999% (metals basis)
InSb wafer: P-Type, (211)+/-1°: Resist.8-18 Ohm cm: cc:4-9 x1013ücm-3ü (77K): 1 side polished: dia 18-30mmx0,7mm thick
Stibinetriylindium(III)
所屬類(lèi)別
無(wú)機(jī)化工:?jiǎn)钨|(zhì)物理化學(xué)性質(zhì)
熔點(diǎn)535°C
密度5,76 g/cm3
形態(tài)crystal
比重5.76
顏色黑色
水溶解性Insoluble in water.
晶體結(jié)構(gòu)Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck14,4948
暴露限值ACGIH: TWA 0.5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
CAS 數(shù)據(jù)庫(kù)1312-41-0(CAS DataBase Reference)
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Antimony, compd. with indium (1:1) (1312-41-0)
安全數(shù)據(jù)
警示詞警告
危險(xiǎn)性描述H302-H332-H411
危險(xiǎn)品標(biāo)志Xn,N
危險(xiǎn)類(lèi)別碼R20/22-R51/53
安全說(shuō)明S61
危險(xiǎn)品運(yùn)輸編號(hào)UN 1549 6.1/PG 3
WGK Germany2
RTECS號(hào)NL1105000
TSCAYes
危險(xiǎn)等級(jí)6.1
包裝類(lèi)別III
海關(guān)編碼2853909090
1312-41-0(安全特性,毒性,儲(chǔ)運(yùn))
儲(chǔ)運(yùn)特性
庫(kù)房通風(fēng)低溫干燥毒性分級(jí)
中毒急性毒性
腹腔-小鼠LD50:3700 毫克/公斤類(lèi)別
有毒物品滅火劑
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 霧狀水職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
TWA 0.1 毫克(銦)/立方米常見(jiàn)問(wèn)題列表
概述
銻化銦(InSb)是研究得較早、較深入的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料。其晶體呈銀色、質(zhì)脆,為閃鋅礦結(jié)構(gòu).晶格常數(shù)為6.48?,是一種直接帶隙材料,其禁帶寬度較窄,為0.18eV,而電子遷移率高達(dá)7800cm2/V·s,可用來(lái)制作紅外探測(cè)器,光磁探測(cè)器和Hall器件。應(yīng)用
InSb單晶電子遷移率高,是良好的紅外探測(cè)器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如,對(duì)應(yīng)于大氣透射窗口3~5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。銻化銦價(jià)格(試劑級(jí))
報(bào)價(jià)日期 | 產(chǎn)品編號(hào) | 產(chǎn)品名稱(chēng) | CAS號(hào) | 包裝 | 價(jià)格 |
2024/11/11 | XW13124101 | 銻化銦 | 1312-41-0 | 1G | 186元 |
2024/11/08 | 088460 | 銻化銦, 電子級(jí), 99.99% (metals basis) Indium antimonide, Electronic Grade, 99.99% (metals basis) | 1312-41-0 | 2g | 627元 |
2024/11/08 | 088460 | 銻化銦, 電子級(jí), 99.99% (metals basis) Indium antimonide, Electronic Grade, 99.99% (metals basis) | 1312-41-0 | 10g | 2625元 |