1303-11-3
中文名稱
砷化銦
英文名稱
INDIUM ARSENIDE
CAS
1303-11-3
分子式
AsIn
分子量
189.74
MOL 文件
1303-11-3.mol
更新日期
2024/05/10 10:54:10
1303-11-3 結(jié)構(gòu)式
基本信息
中文別名
砷化銦砷化銦(INAS
砷化銦, 99% (METALS BASIS)
砷化銦, 99.9999% (METALS BASIS)
英文別名
indiamarsenideINDIUM ARSENIDE
indium monoarsenide
indiganylidynearsane
indiumarsenide(inas)
Indium arsenide lump
indium(III) arsenide
99.9999%(metalsbasis)
Arsinetriylindium(III)
Indium Arsenide Powder
所屬類別
無機(jī)化工：金屬氧化物物理化學(xué)性質(zhì)
熔點(diǎn)936°C
密度5.69 g/cm3
折射率3.51
溶解度insoluble in acid solutions
形態(tài)1.5至9.5mm多晶硅片
顏色Gray
水溶解性Insoluble in water.
晶體結(jié)構(gòu)Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck14,4949
暴露限值ACGIH: TWA 0.01 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; Ceiling 0.002 mg/m3
NIOSH: IDLH 5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; Ceiling 0.002 mg/m3
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Indium arsenide (InAs) (1303-11-3)
安全數(shù)據(jù)
警示詞危險(xiǎn)
危險(xiǎn)性描述H301-H331-H400-H410
危險(xiǎn)品運(yùn)輸編號(hào)UN1557
TSCAYes
危險(xiǎn)等級(jí)6.1
包裝類別III
制備方法
方法1
砷化銦的合成與砷化鎵相同，也使用雙管電爐。先往一端封閉的石英安瓿中送入裝有銦的石英盤，然后加入砷，在5×10-6Torr(1Torr=133.322Pa)下，真空封口。把這個(gè)安瓿裝銦的部分加熱到955℃，裝砷的部分加熱到560℃。這時(shí)砷的蒸氣壓約為33kPa。
砷在蒸氣狀態(tài)下，與加熱到955℃的銦反應(yīng)，生成InAs。經(jīng)5～6h后將安瓿從A爐中取出。從盤的前端生成InAs單晶。常見問題列表
應(yīng)用
砷化銦是一種難于純化的半導(dǎo)體材料。利用砷化銦-銦鋁砷疊層點(diǎn)制備砷化銦納米環(huán)以及制備一種帶勢(shì)壘層結(jié)構(gòu)的砷化銦熱光伏電池。制備
一種高效制備高純砷化銦的方法，該方法是采用氣相沉積法，在氬氣保護(hù)下分別將三氯化銦和三氯化砷在揮發(fā)室中加熱揮發(fā)成蒸汽，通過噴嘴噴入反應(yīng)室反應(yīng)，氣相沉積生成砷化銦晶體；具體步驟如下：
(1)以氬氣為保護(hù)氣體，將三氯化銦和三氯化砷按摩爾質(zhì)量比為1：1～1.5：1取料，分別置于第一揮發(fā)室1和第二揮發(fā)室2中，300～900℃條件下?lián)]發(fā)0.5h～12h，使兩種物料都處于蒸汽狀態(tài)；
(2)通過噴嘴將兩個(gè)揮發(fā)室中的三氯化銦和三氯化砷蒸汽分別通過第一噴嘴4和第二噴嘴5同時(shí)噴入一個(gè)鈦材制做的反應(yīng)室3內(nèi)，在300～900℃條件下反應(yīng)2h～5h，氣相沉積得到沉積物；剩余揮發(fā)氣體在常溫下加壓至600～700kPa或在常壓下冷卻到-34℃得到液氯；
(3)將所得沉積物加熱揮發(fā)2h～12h，加熱溫度為300～900℃、壓強(qiáng)為0.5～100KPa，除去殘余的氯，冷卻，得到純度大于99.9％的橘黃色的晶體砷化銦。
所述第一揮發(fā)室1和第二揮發(fā)室2可采用現(xiàn)有技術(shù)的金屬加熱揮發(fā)設(shè)備，如側(cè)吹式電爐，在電爐的風(fēng)眼連接對(duì)向反應(yīng)室的噴嘴。反應(yīng)室也可以采用電加熱爐，氣相沉積得到沉積物；剩余揮發(fā)氣體引出反應(yīng)室，在常溫下加壓至600～700kPa或在常壓下冷卻到-34℃得到液氯。