簡述

四(二甲氨基)錫是一種分子式為C₈H₂₄N₄Sn，分子量為295.013的化學(xué)物質(zhì)，無色至淡黃色溶液，空氣敏感，是一種重要的有機金屬試劑。

制備方法

四(二甲氨基)錫可通過下述步驟制備：

（1）向金屬氫化物中加入溶劑，得到懸濁液；

（2）向懸濁液中滴加無水四氯化錫，反應(yīng)得到反應(yīng)液；

（3）向反應(yīng)液中通入二甲胺，攪拌反應(yīng)，得到混合物；

（4）對混合物進行減壓去低沸、減壓蒸餾、精餾得到所述四(二甲氨基)錫。

上述方法以金屬氫化物替代了活性高難以控制的正丁基鋰，金屬氫化物活性大大降低，不會發(fā)生劇烈反應(yīng)，因此安全性大大提高，并且金屬氫化物可以替代正丁基鋰作為縛酸劑參與反應(yīng)促進反應(yīng)進行，大幅降低生產(chǎn)成本，利于大規(guī)模生產(chǎn)[1]。

應(yīng)用

氣體傳感器技術(shù)領(lǐng)域公開一種一體化MEMS氫氣傳感器的制備方法。對MEMS進行清潔和干燥后轉(zhuǎn)移至ALD反應(yīng)器中，以四(二甲氨基)錫和水為前驅(qū)體沉積SnO₂薄膜，控制ALD SnO₂在MEMS上沉積的循環(huán)次數(shù)，獲得不同厚度SnO₂薄膜，在MEMS沉積150循環(huán)的ALDSnO₂上繼續(xù)沉積NiO，以二茂鎳(NiCp₂)和O₃為前體，沉積溫度270℃，對NiCp₂的脈沖，暴露和吹掃，改變MEMS上沉積ALD NiO的循環(huán)次數(shù)獲得不同比例NiOSnO₂界面位點的敏感材料。同現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方法通過原子層沉積精準(zhǔn)控制納米大小或膜厚度，可以實現(xiàn)高強度，高靈敏和穩(wěn)定的MEMS傳感器制備[2]。

此外，文獻還報道了一種氧化銦基透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法。該氧化銦基透明導(dǎo)電薄膜包括基底材料，氧化銦籽晶層和氧化銦主體層；所述氧化銦籽晶層附著在基底材料的表面，所述氧化銦主體層附著在氧化銦籽晶層的表面。其通過金屬有機化學(xué)氣相沉積的方式制備，以有機金屬三甲基銦作為銦源，高純氧氣作為氧源，四(二甲氨基)錫作為摻雜源制備獲得。制備得到的氧化銦基透明導(dǎo)電薄膜厚度為20nm～1μm，電阻率小于5×104Ω·cm，具有4.1～4.7eV的光學(xué)帶隙，在300nm處的透過率大于50%，且光譜透射區(qū)域延伸到深紫外波段，還能精準(zhǔn)控制表面形貌，適用于作為近紫外深紫外波段的透明導(dǎo)電薄膜[3]。

參考文獻

[1]齊愛民,陳鵬宇.一種四(二甲氨基)錫的制備方法:202310918814[P].

[2]胡慶敏,徐甲強,張景韜,等.一種一體化MEMS氫氣傳感器制備方法:CN202111485555.6[P].CN202111485555.6.

[3]王鋼,卓毅,陳梓敏,等.一種紫外透明導(dǎo)電薄膜及其制造方法:CN201710195510.2[P].