產(chǎn) 品 說(shuō) 明

產(chǎn)品名稱(chēng)：DiBAC4(3)
產(chǎn)品貨號(hào)：D-4008
產(chǎn)品規(guī)格：25 mg
應(yīng)用范圍：膜電位染色

產(chǎn)品參數(shù)
外觀：可溶于DMF或DMSO的橘色固體
貯存條件：-20℃ 保存
保質(zhì)期：12個(gè)月
CAS號(hào)：70363-83-6
分子式：C27H40N4O6
分子量：519
分子結(jié)構(gòu)圖：

產(chǎn)品介紹
DiBAC4(3)是一種檢測(cè)細(xì)胞膜電位的親脂性陰離子
熒光染料，它本身無(wú)熒光，當(dāng)進(jìn)人細(xì)胞與胞漿內(nèi)的蛋
白質(zhì)結(jié)合后才發(fā)出熒光。當(dāng)DiBAC4(3)進(jìn)入細(xì)胞后，
指示細(xì)胞內(nèi)熒光強(qiáng)度增加，即膜電位增加表示細(xì)胞去
極化；反之，若細(xì)胞內(nèi)熒光強(qiáng)度降低，即膜電位降低
表示細(xì)胞超極化。

使用方法
1、儲(chǔ)存液配制：產(chǎn)品可以用DMSO、無(wú)水乙醇或純水溶
解，用DMSO配制成10 mM的母液儲(chǔ)存，如果低濃度也
可以滿足要求也可用純水配制。
2、用熒光顯微鏡測(cè)定膜電位
(1)試劑：DiBAC4(3)；Dulbecco’s MEM (DMEM)；
FBS (fetal bovine serum)
(2)實(shí)驗(yàn)步驟
1) 將消化好的細(xì)胞移至DMEM培養(yǎng)基中。
2) 加入FBS，控制濃度范圍在：2～15% 。
3) 加入DiBAC4(3)，控制濃度范圍在：1～5 μM/L。
4) 用熒光顯微鏡觀察刺激后熒光強(qiáng)度的變化，可用氬離
子激光(488 nm) 的激光共聚焦顯微鏡檢測(cè)。由于
DiBAC4(3)的熒光會(huì)隨溫度變化而改變，所以必須在37℃
條件下測(cè)定。當(dāng)細(xì)胞膜電位發(fā)生變化，可以觀察到細(xì)胞內(nèi)
的熒光強(qiáng)度的變化。
3、用酶標(biāo)儀測(cè)定膜電位
(1)試劑：DiBAC4(3)；檢測(cè)用緩沖液 (pH7.4; 20 mmol/L
HEPES, 120 mmol/L NaCl, 2 mmol/L KCl, 2 mmol/L
CaCl2, 1 mmol/L MgCl2, 5 mmol/L glucose)
(2)實(shí)驗(yàn)步驟
1) 培養(yǎng)細(xì)胞：在微孔板中培養(yǎng)細(xì)胞
2) 清洗細(xì)胞：用含5 μM/L DiBAC4(3) 工作緩沖液200
μL，清洗微孔板中培養(yǎng)的細(xì)胞2次
3) 染色：在微孔板中加入180 μL含5 μM/L DiBAC4(3)
的工作緩沖液，在5% CO2，37℃培養(yǎng)箱中孵育30分鐘。
4) 測(cè)定：用熒光酶標(biāo)儀觀察刺激后細(xì)胞內(nèi)熒光強(qiáng)度的變化。
由于DiBAC4(3)的熒光會(huì)隨溫度變化而改變，所以必須在
37℃的條件下測(cè)定，加入20 μL含DiBAC4(3) 的工作緩沖
液，每隔30秒測(cè)定1次熒光變化。
4、 膜電位的標(biāo)準(zhǔn)曲線
(1)原理：膜電位變化時(shí)色素的分布也隨之變化，所以熒光
強(qiáng)弱和吸收強(qiáng)度也會(huì)變化。這種變化程度取決于色素的分
子數(shù)和細(xì)胞數(shù)的比率、色素的濃度以及細(xì)胞的種類(lèi)。膜電
位的標(biāo)準(zhǔn)曲線是通過(guò)用電極直接測(cè)定目的細(xì)胞的膜電位，
在該電位所測(cè)得的熒光和吸收強(qiáng)度而制得的。
(2)試劑：DiBAC4(3)；Eagle-Dulbecco medium；PBS
(3)方法
1) 用Eagle-Dulbecco medium培養(yǎng)細(xì)胞。
2) 取PBS中的細(xì)胞在37℃的CO2培養(yǎng)箱中孵育30～60分
鐘，然后改變孵育時(shí)間，制備不一樣的CO2濃度的樣品。
3) 加入DiBAC4(3)，終濃度為2 μM/L。
4) 20分鐘后，在517 nm測(cè)定各個(gè)濃度的熒光強(qiáng)度，并
用電極直接測(cè)定此時(shí)的電位差。
5) 用熒光強(qiáng)度和對(duì)應(yīng)的電位差來(lái)制作標(biāo)準(zhǔn)曲線。
(4)其他方法
有鉀擴(kuò)散電位和熒光或吸收強(qiáng)度比較的方法。纈氨霉素
引起鉀擴(kuò)散電位，鉀擴(kuò)散電位 (V) 是按照Nernst 方程
計(jì)算如下：
V=-RT/F log[K+]in/[K+]out=-59 log[K+]in/[K+]out (mV)
在纈氨霉素存在時(shí)，通過(guò)改變細(xì)胞外鉀離子濃度和細(xì)胞內(nèi)
鉀離子濃度，計(jì)算擴(kuò)散電位，測(cè)定各個(gè)電位的熒光或吸
收強(qiáng)度，比較后可以制得標(biāo)準(zhǔn)曲線。
注意事項(xiàng)
1、熒光染料均存在淬滅問(wèn)題，請(qǐng)盡量注意避光，以減緩
熒光淬滅。
2、為了您的安全和健康，請(qǐng)穿實(shí)驗(yàn)服并戴一次性手套操
作。

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