多晶砷化銦(InAs)
原子量:189.74
銀灰色固體,閃鋅礦結(jié)構(gòu)。
熔點(diǎn):942 ℃
禁帶寬度:0.45 eV
密度:5.56 g/cm3(固)
晶格常數(shù):0.605nm
純度:4N(99.99%)5N(99.999%)6N(99.9999%)
物理性狀:塊或粉。
用途:主要用作光導(dǎo),用于制作InAs單晶及蒸鍍材料。InAs單晶可制作霍爾器件,磁阻器件,光纖用激光器,探測(cè)器,光,電,磁的傳感器。
包裝:聚乙烯瓶封裝。
四川六族半導(dǎo)體材料有限公司
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六族半導(dǎo)體