NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。
NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：
· 14.5”不銹鋼立體離子束腔體
· 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板
· 離子束中和器
· 氬氣MFC
· 6”水冷樣品臺(tái)
· 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)
· 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
· 手動(dòng)上下載晶圓片
· 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
· 6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
· 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級(jí)別（配套500 l/s渦輪分子泵）
· 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達(dá)8x10-8Torr
· 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
· 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
· 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)
· 完整的安全聯(lián)鎖
關(guān)鍵字： 離子銑系統(tǒng);IBM離子銑系統(tǒng);反應(yīng)離子束刻蝕系統(tǒng);離子束刻蝕系統(tǒng);標(biāo)準(zhǔn)離子束刻蝕設(shè)備;進(jìn)口離子束刻蝕系統(tǒng);
那諾-馬斯特中國有限公司成立于2015年4月，是服務(wù)大中華區(qū)(包含中國大陸，香港，臺(tái)灣和澳門)的客戶，同時(shí)我們?cè)谥袊箨懺O(shè)有專門的服務(wù)辦公室，提供銷售和售后技術(shù)服務(wù)。
那諾-馬斯特中國的主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設(shè)備、薄膜生長(zhǎng)設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、兆聲濕法清洗設(shè)備及太空模擬測(cè)試設(shè)備等等。Nano-Master的前身是那諾-馬斯特美國，該公司是法國那諾-馬斯特有限公司于1992年在美國所創(chuàng)立的全資子公司，是一家國際領(lǐng)先的缺陷檢測(cè)和高速鍍層測(cè)量的計(jì)量公司。自從1993年開始Birol Kuyel博士全面接管那諾-馬斯特美國并正式更名。
自2001年Nano-Master開始設(shè)計(jì)開發(fā)薄膜應(yīng)用方面的設(shè)備，正式面世的系統(tǒng)依次是磁控濺射、PECVD、晶圓/掩模版清洗系統(tǒng)…。應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了半導(dǎo)體、MEMS、光電子學(xué)、納米技術(shù)和光伏等。我們的設(shè)備包含用于二氧化硅、氮化硅、類金剛石和CNT沉積的PECVD，用于InGaN、AlGaN生長(zhǎng)的PA-MOCVD，濺射鍍膜(反應(yīng)濺、共濺 、組合濺)，熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)，離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，原子層沉積，兆聲清洗以及光刻膠剝離等。三十年左右的時(shí)間內(nèi)Nano-Master已經(jīng)發(fā)展成為全球薄膜設(shè)備的供應(yīng)商，已售出的幾百套設(shè)備分布于20多個(gè)不同國家的大學(xué)、研發(fā)中心和國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。
我們聘用技術(shù)熟練并具有良好教育背景的設(shè)計(jì)和制造工程師、應(yīng)用工程師、服務(wù)