高純加緩沖劑的HF蝕刻劑適合用于熱生長或沉積二氧化硅膜。Transene二氧化硅蝕刻劑是邊下蝕低，匹配性廣的理想半導(dǎo)體蝕刻劑。 緩沖劑－HF 對熱生長二氧化硅膜有最快的蝕刻速率，同時也適合用于沉積SiO2膜。 加緩沖劑的蝕刻劑 氟化銨：HF＝4:1，5:1，6:1，7:1，10:1或按客戶要求調(diào)配其比例。 BD蝕刻劑 其為二氧化硅玻璃（PSG）和硼硅玻璃（BSG）的浸泡蝕刻劑。蝕刻速率隨著此兩種玻璃組成的變化而變化。 氧化硅蝕刻劑 選擇和控制蝕刻由硅烷或乙基原硅酸酯沉積而產(chǎn)生的SiO2膜。 TIMETCH蝕刻劑 能得到控制地蝕刻沉積二氧化硅膜。 SILOX VAPOXⅢ 蝕刻硅上面的氧化物。這種蝕刻劑經(jīng)鋁飽合以使其對金屬基板的浸蝕性降至最低。 特點 · 蝕刻速率變化范圍廣 · 高純度 · 使用方便 · 與光刻膠匹配范圍廣 加HF改進(jìn)的緩沖劑 （氟化物―二氟化物－氫氟酸緩沖劑） 本品為加有HF且HF活度穩(wěn)定的性能改進(jìn)的緩沖劑，用于平面鈍化、制作晶體管、集成電路、二極管、檢波器、SCR、MOS、FET的半導(dǎo)體技術(shù)中選擇溶解SiO2。 獨特的優(yōu)點 ·經(jīng)濟便宜，使用方便 ·HF活度穩(wěn)定 ·良好的工藝重復(fù)性 ·不會出現(xiàn)邊下蝕被掩蔽的氧化物 ·不擴散硅表面著色 ·硅表面不污染 ·光刻膠涂層不受影響 說明 緩沖劑－HF是一個理想的緩沖劑配方，其特點是緩沖指數(shù)高和蝕刻速率均勻合適。緩沖劑－HF的組成可通過HF活度和PH的測量得到精密控制。質(zhì)量平衡對應(yīng)于兩配體單核絡(luò)合物的HF+(F)+2(HF2)，而變化平衡是(H+)-(F)+(HF2-)。HF的活度通過其特定平衡常數(shù)保持恒定不變，這便決定了氟化物、二氟化物和HF諸組分間的平衡反應(yīng)。而第二平衡常數(shù)參與氫離子濃度的濃度調(diào)節(jié)。 緩沖劑－HF制備并經(jīng)分析確定已基本完全去除了任何雜質(zhì)。硝酸根離子是引起擴散硅表面著色的最常見的雜質(zhì)，在這種緩沖劑中已特別加以排除。能引起裝置質(zhì)量降低的重金屬雜質(zhì)在生產(chǎn)過程中得到了嚴(yán)格控制。 緩沖劑-HF的性質(zhì) 外觀澄清液體硝酸鹽無比重1.12緩沖蝕刻能力65mg，SiO2/mlPH5.0蝕刻速率，20℃800 ? /分游離HF105M貯存室溫保存，在10℃以下會結(jié)晶析出主要離子HF2配體重金屬0.5ppm*蝕刻速率根據(jù)氧化硅膜結(jié)構(gòu)而改變 緩沖劑－HF的使用 緩沖劑－HF能深解在硅表面上制出的并在光印刷術(shù)中暴光的二氧化硅膜（熱生長和硅烷SiO2）。它還能溶解半導(dǎo)體加工過程形成的磷二氧化硅和硼二氧化硅玻璃中的摻雜二氧化硅膜，總化學(xué)反應(yīng)式為：4HF+SiO2 → SiF4+2H2O 建議在制作半導(dǎo)體平面和臺面型二極管裝置的新技術(shù)中使用緩沖劑－HF，操作安全無誤，它與陰，陽性光刻膠都相匹配。易于得到重現(xiàn)性良好的結(jié)果，不會出現(xiàn)邊下蝕被掩蔽的氧化物、表面著色和重金屬造成質(zhì)量降級等現(xiàn)象。 指導(dǎo)意見 大多數(shù)實際氧化物鈍化層厚度范圍是2000 ?到5000 ?，將其在室溫下于緩沖劑－HF液中浸泡2-5分鐘都會得到良好的結(jié)果，必要時接觸時間可適當(dāng)增減。操作完畢，應(yīng)當(dāng)用去離子水將緩沖劑-HF沖洗掉。緩沖劑-HF的緩沖指數(shù)高，因此在固定接觸時間條件下反復(fù)使用。為了增快蝕刻速率（約2X），可以在35℃的溫度使用緩沖劑-HF。 二氧化硅厚度與反射顏色的關(guān)系 顏色 厚度? X 103 灰色、黃褐色、褐色0.10.30.5----藍(lán)色0.81.53.04.96.9紫色1.02.74.76.5--綠色1.93.35.27.2--黃色2.13.75.67.5--橙色2.24.06.0----紅色2.54.46.3---- BD蝕刻劑 （用于PSG-SiO2 體系） 本品是加緩沖劑改進(jìn)的蝕刻劑，用于蝕刻磷硅玻璃－SiO2 (PSG)和硼硅玻璃SiO2 (BSG)體系、鈍化晶體管表面。BD蝕刻劑PSG/SiO2比率低，可把PSG鈍化膜下蝕現(xiàn)象降到最低。 BD蝕刻劑的蝕刻特點 20℃25℃30℃介電質(zhì)材料?/秒?/秒?/秒熱生長 SiO20.871.221.72PSG (6摩爾% P2O5)1.852.473.35蝕刻比率 (PSG/SiO2)2.122.021.95 注：蝕刻比率值隨PSG和BSG的組成而改變。 應(yīng)用 用作浸泡型蝕刻劑從接觸片上去除SiO2而不傷損PSG膜。在硅晶體管晶片接觸孔金屬化之前，首先使用蝕刻劑，而后用水和乙醇沖洗之。 二氧化硅蝕刻劑 (沉積SiO2的選擇性蝕刻劑) 本品為改性HF緩沖液，專門用于蝕刻半導(dǎo)體微電子產(chǎn)品中的沉積二氧化硅（SiO2）。 特點 · 專門蝕刻硅烷或乙基原硅酸酯工藝過程沉積的SiO2膜 · 使用方便 · 經(jīng)濟便宜 · 蝕刻過程可精密控制，排除了氧化物下蝕現(xiàn)象 · 與光刻膠匹配性良好 說明 二氧化硅是半導(dǎo)體微電子產(chǎn)品中沉積SiO2膜的擇優(yōu)蝕刻劑。本蝕刻劑是含有二氟化物離子的緩沖劑。其中HF活度通過氟化物、二氟化物和HF緩沖化物間的反應(yīng)平衡加以調(diào)節(jié)。重金屬雜質(zhì)含量嚴(yán)格控制在1ppm以下，以保證產(chǎn)品質(zhì)量。這種蝕刻劑與陰、陽性光刻膠都有良好的匹配性。 二氧化硅蝕刻劑的性質(zhì) 外觀澄清液體比重1.1pH5.0重金屬< 1 ppm蝕刻速率，25 °C40 ?/秒緩沖劑蝕刻能力20 mgs. SiO2/mL.操作溫度25℃匹配光刻膠陰性和陽性光刻膠貯存室溫外觀澄清液體 應(yīng)用 二氧化硅蝕刻劑用于光刻術(shù)制作半導(dǎo)體裝置和集成電路。沉積SiO2在此制作過程中起鈍化介電質(zhì)或與氮化硅一起蝕刻光掩膜的作用。SiO2沉積層的典型厚度是2000 ?數(shù)量級。用于蝕刻熱生長SiO2的普通緩沖HF溶液不能用于蝕刻沉積SiO2膜。沉積SiO2膜是硅烷經(jīng)氧化或乙基原硅酸酯經(jīng)熱解而產(chǎn)生的。和熱生長SiO2相比較，沉積二氧化硅膜蝕刻時速度要快。用二氧化硅蝕刻劑蝕刻沉積SiO2膜速率易于控制。 用二氧化硅蝕刻劑蝕刻沉積SiO2膜時的速率控制 蝕刻時間（秒）SiO2 沉積層厚度( ? )反射的顏色02150橙黃32100黃61900綠91700綠－藍(lán)121500藍(lán)151250藍(lán)－紫201000紫25900紫－藍(lán)30800褐35500棕黃40300灰45100灰－明亮500明亮 TIMETCH蝕刻劑 （二氧化硅膜的控制蝕刻劑） TIMETCH蝕刻劑是一種特制的蝕刻劑，它的特點是在蝕刻二氧化硅時，蝕刻過程能得到很好控制，而且沒有邊下蝕現(xiàn)象。Timetch 蝕刻劑與陰性和陽性光刻膠都相匹配。 TIMETCH蝕刻劑用于去除二氧化硅和控制MOS裝置氧化物膜厚度。此蝕刻劑還建議用于二極管和晶體管鍍金屬膜前表面氧化物的去除。 對于沉積氧化物，在室溫下的去除速率是1.5 ?/秒。而對于熱生長氧化物來說，此速率則稍微顯得慢些。蝕刻過后應(yīng)當(dāng)接著用蒸餾水或去離子水沖洗之。 性質(zhì) 外觀澄清溶液pH5.5操作溫度25℃閃點不可燃溶解性與水相混溶蝕刻速率1.5 ?/秒；90 ?/分有效期1 年貯存室溫Timetch 蝕刻劑與銅匹配。 SILOX VAPOX III蝕刻劑 Ⅰ. 這一蝕刻劑用來蝕刻硅表面上的沉積氧化物。這些氧化物生長于LPCVD裝置。它們和熱生長氧化物在很多重要方面極不相同。一方面是它們的蝕刻速度，另一方面是它們的工藝程序。沉積氧化物經(jīng)常在鍍金屬的硅基板上用作一個鈍化層。Silox Vapox III蝕刻劑設(shè)計用來蝕刻鍍鋁硅板上作為鈍化層的沉積氧化物，效果極佳。這種蝕刻劑液中飽含著鋁，從而將其對鍍金的基板的浸蝕性降到最低限度。 Ⅱ. 沉積氧化物（Silox Vapox）的蝕刻速率：4000 ?/分，22 °C， Ⅲ. 這一產(chǎn)品中含有： 氟化銨 冰醋酸 鋁腐蝕抑制劑 表面活性劑 DI水 |