乙硅烷有別于硅烷的特殊化學特性(易分解)，在PECVD、LPCVD制造工藝中其成膜溫度比硅烷低很多、成膜速率快、膜質量平滑均勻，乙硅烷分子中含硅量比硅烷高許多，因此，未來乙硅烷將會有廣闊的使用空間，目前許多芯片廠開始嘗試使用含一定濃度的SiH 4 -Si 2 H 6混合氣體。
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