硒化銦是一種無機(jī)化合物，化學(xué)式為In2Se3。其為黑色晶體或暗黑色鱗片狀物質(zhì)，是典型的二維層狀半導(dǎo)體材料。

銦硒化物又叫硒化銦。硒化銦是典型的二維層狀半導(dǎo)體材料，帶隙范圍為1.24-1.54eV，具體的帶隙范圍取決于層數(shù)。硒化銦薄膜具有優(yōu)異的電子和光電特性。對(duì)于硒化銦物理性質(zhì)的研究已經(jīng)付出了相當(dāng)大的努力。已有報(bào)道已經(jīng)證明，暴露于環(huán)境條件下的二維材料器件由于界面引起的額外的散射而顯著的降低了載流子遷移率。

CN102534800A公開了一種In2Se3納米材料的制備方法，包括：將氣相In2Se3用載氣輸送到含有催化劑的基體上，并在所述基體上沉積生長得到In2Se3納米材料；所述催化劑為金顆粒、金膜或銦膜。本發(fā)明使用氣相沉積法將氣相In2Se3沉積在基體上，在催化劑的催化作用下生長成納米棒或納米線，而且控制載氣的種類可以控制納米線的晶相，在氬氣、氮?dú)饣蚝庵谐练e生長可以制備主晶相為κ相的In2Se3納米線，在氫氣中沉積生長可以制備α相In2Se3納米線。