簡述
二乙氧基甲基乙烯基硅烷中文別名乙烯甲基二乙氧基硅烷，甲基乙稀基二乙氧基硅烷等，化學式為C7H16O2Si，分子量為160.29。常溫常壓下，二乙氧基甲基乙烯基硅烷的性狀為無色至淡黃色液體。
理化性質(zhì)
密度：0.858 g/mL at 25 °C(lit.)
沸點：133-134 °C(lit.)
折射率：n20/D 1.401(lit.)
閃點：64°F
合成工藝
以乙炔和甲基二乙氧基硅烷為原料，在Pt的金屬絡合物催化劑作用下，進行硅氫加成反應即可合成二乙氧基甲基乙烯基硅烷。實驗考察反應溫度，聚甲基乙烯基硅氧烷(PMVS)含量以及甲基二乙氧基硅烷投料速度對反應選擇性和產(chǎn)物收率的影響。研究表明，在以甲苯為溶劑，Pt濃度為25～35ppm，反應溫度80℃，PMVS與Pt質(zhì)量比12，甲基二乙氧基硅烷投料速度5.0mL/h時，反應選擇性高達93.7%，二乙氧基甲基乙烯基硅烷收率可以達到84.8%[1]。
應用
精細化工領(lǐng)域公開了一種改性二氧化鈰耐酸堿型可剝性高分子防銹膜，由下列原料制備制成：異丙醇鋁，硅烷偶聯(lián)劑KH792，正硅酸四乙酯，失水山梨醇三油酸酯，聚乙二醇，二乙氧基甲基乙烯基硅烷，聚乙烯醇，硼砂，二氧化鈰，油酸，硅烷偶聯(lián)劑KH560，聚醚胺，丙烯酰胺，三乙醇胺，苯并三氮唑，對苯二胺，苯甲酸鈉，十二烷基硫酸鈉，脂肪酸聚氧乙烯酯適量，硝酸適量，鹽酸適量，無水乙醇適量，去離子水適量。本發(fā)明制備的防銹劑在需要防銹的工件上面形成一層薄的防銹膜，可手動撕除，可剝性好，操作簡單，且制備的防銹膜耐熱，耐酸堿腐蝕性高，耐油抗水，防銹時間長，值得推廣[2]。
有關(guān)研究
聚硅氧烷作為一類新型的非傳統(tǒng)聚集誘導發(fā)光材料，因不含芳香族基團，具有良好的生物相容性及環(huán)境友好性，在生物成像以及藥物控釋領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。然而，目前這類發(fā)光聚合物存在需要高能量紫外光激發(fā)，發(fā)光集中在藍色區(qū)域，發(fā)光機理不明確等問題。研究通過分子設(shè)計，利用密度泛函理論(DFT)和含時密度泛函理論(TD-DFT)篩選出性能最佳的結(jié)構(gòu)。接著，采用無催化劑，無溶劑的一步酯交換縮聚法，將動態(tài)可逆的二硫鍵引入聚硅氧烷分子的鏈段結(jié)構(gòu)中，合成一系列鏈段骨架不同的含硫聚硅氧烷，進而研究其光物理性能和發(fā)光機制。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，以3,3′-二硫代二丙酸和二乙氧基甲基乙烯基硅烷為原料合成的線性含雙硫鍵的聚硅氧烷表現(xiàn)出典型的聚集增強發(fā)光的特性，且在不同的激發(fā)波長下可發(fā)射不同顏色的熒光。特別是，其可被可見光激發(fā)(Ex=508 nm, Em=588 nm)。利用DFT與和TD-DFT對其聚集結(jié)構(gòu)，分子軌道和激發(fā)能進一步進行理論計算表明：一方面，二硫鍵的低電負性可有效降低其HOMO-LUMO能級差，從而使其激發(fā)波長紅移到可見光區(qū)域。另一方面，二硫鍵中的孤對電子增加了分子骨架的偶極矩，促進了分子的聚集，并通過-Si-O-，-S-S-，-C(O)O-和-C=C-鍵形成多個電子離域環(huán)，從而發(fā)生"多環(huán)誘導多色"。此外，研究發(fā)現(xiàn)此類聚硅氧烷具有氧化還原，pH，金屬離子和極性溶劑多重刺激響應性[3]。
參考文獻
[1]劉國旺,馬國維,周尚寅,等.硅氫加成法合成甲基乙烯基二乙氧基硅烷[J].科技通報, 2011, 27(1):4.DOI:CNKI:SUN:KJTB.0.2011-01-015.
[2]江海濤.一種改性二氧化鈰耐酸堿型可剝性高分子防銹膜.2017.
[3]張運生,白天,郭留龍,等.雙硫鍵強化聚硅氧烷發(fā)光性能研究[C]//2021年第二屆全國功能高分子材料學術(shù)研討會論文集.2021.