理化性質

九氟己基三甲氧基硅烷，英文名稱：NONAFLUOROHEXYLTRIMETHOXYSILANE，CAS號：85877-79-8，分子式：C9H13F9O3Si，分子量：368.27，EINECS號：248-418-4，沸點：182.1±40.0°C，密度1.335g/cm3，折射率1.3376，閃點71°C(lit.)，為無色液體。

應用

1、專利CN202411370890.5介紹了一種半導體傳感器芯片，由下至上依次由加熱電極、襯底層（氧化鋁層，厚度為0.25mm，長度和寬度均為4mm）、電極層、敏感材料層、過濾層和泡沫陶瓷。本實施例中過濾層的制備方法，由以下步驟組成： 將HZSM?5分子篩、Pd源和水（HZSM?5分子篩與水的質量體積比為1g：10mL）混合后， 在80℃下烘干，再在溫度為550℃，氫氣氣氛下煅燒2h； 再將煅燒處理后的HZSM?5分子篩和氨水（質量分數為5%，煅燒處理后的HZSM?5分子篩和氨水的質量體積比為1g：50mL）混合，制得第一混合物； 再將九氟己基三甲氧基硅烷和第一混合物混合，在130℃下反應25h，反應完成后， 固液分離，收集固相，在80℃下干燥12h。該專利通過對敏感材料層和過濾層進行調控，從而制得了性能優(yōu)異的傳感器芯片^[1]。

2、專利CN201380049239.1發(fā)現兩種特定的氟烷基硅烷的組合特別適用于形成在鋁材料鍍覆處理中充當抗蝕層的SAM。并提供了用于局部鍍覆的預處理方法、用于鋁材料的局部鍍覆方法和用于鍍覆鋁材料的抗蝕劑。該預處理方法包括：在由鋁材料構造成的基底上，由九氟己基三甲氧基硅烷和三氟丙基三甲氧基硅烷的混合物形成SAM作為抗蝕層；和對所述基底施以鋅酸鹽處理。使用九氟己基三甲氧基硅烷和三氟丙基三甲氧基硅烷的混合物形成的SAM幾乎完全涂布由鋁材料構造成的基底并還具有高的耐酸性和耐堿性。因此，其甚至在鋅酸鹽處理過程中也可防止鋅沉積而不剝落^[2]。

參考文獻

[1]湖南星碩傳感科技有限公司. 一種半導體氣體傳感器芯片及其制備方法與應用:CN202411370890.5[P]. 2024-11-01.

[2]豐田自動車株式會社,國立大學法人名古屋大學. 用于局部鍍覆的預處理方法、用于鋁材料的局部鍍覆方法和用于鍍覆鋁材料的抗蝕劑:CN201380049239.1[P]. 2017-09-22.