背景及概述^[1]

四碘化鈦紅色立方晶體。相對(duì)密度4.3，熔點(diǎn)150℃，沸點(diǎn)377.1℃。易吸潮，在空氣中發(fā)煙。溶于冷水，遇熱水分解。能與氨、吡啶、乙酸乙酯生成2∶1的加合物。與過(guò)量氨發(fā)生氨解作用，生成氨基堿式碘化鈦。微溶于石油醚，適中地溶于苯中，較易溶于氯代烴和二硫化碳中。在高溫下可逆地同金屬鈦反應(yīng)，生成二碘化鈦。同二碘化鈦反應(yīng)，生成三碘化鈦。由金屬鈦與碘蒸氣反應(yīng)，或碳化鈦同碘反應(yīng)，或四氯化鈦與氫和碘混和物反應(yīng)均制得。

結(jié)構(gòu)

應(yīng)用^[2-3]

四碘化鈦可用于金屬鈦的精煉等。其應(yīng)用舉例如下：

1）用于使用原子層沉積的Ti膜來(lái)調(diào)整TiOx化學(xué)計(jì)量的過(guò)程。

方法涉及如下在室中的襯底上沉積高純且共形的鈦：(i)將襯底暴露至四碘化鈦；(ii)清洗室；(iii)將襯底暴露至等離子體；(iv)清洗室；(v)重復(fù)(i)至(iv)，并處理襯底上沉積的鈦來(lái)形成亞化學(xué)計(jì)量的氧化鈦。氧化鈦還可以在襯底上沉積鈦之前來(lái)沉積。處理包含將襯底暴露至氧源和/或?qū)σr底退火處理。

2）使用四碘化鈦前體低溫沉積純鈦薄膜。

一個(gè)方面包括通過(guò)在低于約450℃的溫度下使用原子層沉積循環(huán)在半導(dǎo)體襯底上沉積鈦，其中每個(gè)循環(huán)包括：(i)將所述襯底暴露于四碘化鈦，(ii)吹掃所述室，(iii)將所述襯底暴露于點(diǎn)燃的等離子體，以及(iv)吹掃所述室；以及重復(fù)(i)至(iv)直至在所述襯底上沉積了期望厚度的鈦。每個(gè)循環(huán)可沉積具有厚度為約的鈦。

主要參考資料

[1] 無(wú)機(jī)化合物辭典

[2] CN201510514930.3使用四碘化鈦前體低溫沉積純鈦薄膜的方法和裝置

[3] CN201510512616.1使用原子層沉積的Ti膜來(lái)調(diào)整TiOx化學(xué)計(jì)量的方法