二氧化錫性質(zhì)

二氧化錫粉體呈白色，無臭，無毒，無味；

密度為5.67g/cm3，熔點為1630℃；

當溫度超過1500℃，會分解成(氧化亞錫)SnO和O2；

難溶于水、醇、稀酸和堿液；

緩溶于熱濃強堿溶液并分解，與強堿共熔可生成錫酸鹽；

能溶于濃硫酸或濃鹽酸。

二氧化錫薄膜制備工藝和薄膜特性

二氧化錫（SnO2）的薄膜制備工藝主要包括噴涂熱解工藝、濺射工藝、蒸發(fā)工藝、化學氣相沉積工藝等。

SnO2薄膜的特性：

1.純SnO2薄膜：在通常條件下制備的SnO2為多晶材料。依不同工藝及不同工藝條件晶粒尺寸可以沖20nm到70nm，SnO2薄膜的擇優(yōu)位相強烈地依賴于淀積過程中襯底的溫度和氧的含量。若SnO2薄膜在低溫淀積時，主要顯示的晶面為(111)和(301)。溫度升高時又增加(110)、(101)、(200)、(211)及(310)等晶面。晶粒尺寸及電導率也明顯隨溫度的升高而增大。

2.摻氟SnO2薄膜（SnO2:F）

SnO2:F薄膜為多晶結構，粒晶尺寸大約在40nm左右，保持非摻雜SnO2薄膜的金紅石結構。摻氟通常不引起晶格常數(shù)的變化。SnO2:F與非摻雜的SnO2一樣表現(xiàn)出強烈的(200)晶面的擇優(yōu)。

在摻氟SnO2工藝中，氟源多用NH4或HF。

3.摻銻SnO2薄膜（SnO2:Sb）

SnO2:Sb薄膜一般具有較大的晶粒（約60mm）,但摻銻不引起晶格常數(shù)變化。在SnO2:Sb晶體中Sb通常以替位原子的形式代替Sn的位置。摻Sb可以影響SnO2的擇優(yōu)。

4.摻磷的SnO2薄膜（SnO2:P）

在合適的摻雜濃度下，SnO2:P薄膜為多晶的簡并半導體。主要顯示的品面是(110)、(101)、(200)、(211)。在SnO2:P中，磷通常在SnO2晶格中作為五價的施主原子。

5.摻其它雜質(zhì)的SnO2薄膜

例如：摻銦的SnO2薄膜（SnO2:In），摻鈦的SnO2薄膜（SnO2:Ti），摻碲的SnO2薄膜（SnO2:Te），摻鎢的SnO2薄膜（SnO2:W）等。

二氧化錫應用方向

1.納米二氧化錫（SnO2）因晶粒尺寸小、比表面積大、表面反應活性高、吸附氣體能力強占氣體反應快等特征,在氣體傳感器方面具有重要的應用價值，主要用于檢測易燃、易爆及有毒、有害氣體。

2.納米SnO2光催化劑粒子尺寸小、比表面積大、成本低、無毒、電荷遷移率高,在紫外光照下可高效的降解多數(shù)有機染料，已成為多數(shù)研究者熱衷的候選材料。

3.SnO2透明導電薄膜是一種重要的光電信息材料，本征SnO2薄膜導電性很差，得到廣泛應用的是摻雜的SnO2薄膜。

4.錫氧化物由于較高的比容量、較低的嵌鋰電位和低成本等特點，被作為鋰離子電池最好的負極材料之一,得到了廣泛的應用,而通過在錫氧化物中摻雜金屬或非金屬氧化物可以提升其結構的穩(wěn)定性。