99.999%碲化鎘CdTe粉末:-60/+120目，顆粒：1-6mm
1,技術(shù)對接： THM 移動式加熱合成工藝（優(yōu)越于CVD化學氣相沉積工藝）
2,檢驗：ICP-MS；激光粒度分析儀，掃描電鏡。
3,服務：提供實用的防護措施，提供材料應用解決方案。
（特別是CSS,VTD升華工藝制備碲化鎘薄膜）
4，物理性質(zhì)：
分子量：240.01
禁帶寬度：1.44 eV
折射率：2.57
密度：5.85 g/cm3
熔點：1092℃
沸點：1130℃
5，規(guī)格：
碲化鎘：CdTe-05 純度99.999%以上，銀，鋁，砷，鉍，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅，鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm；
碲化鎘：CdTe-06 純度99.9999%以上，銀，鋁，砷，鉍，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅雜質(zhì)總含量小于1ppm。
6，物理性狀：黑色塊或粉末。
7，用途：
用于制作紅外調(diào)制器，HgxCd1-xTe襯底，紅外窗場致發(fā)光器件，光電池，紅外探測，X射線探測，核放射性探測器，太陽能電池，接近可見光區(qū)的發(fā)光器件。
8，包裝：滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或聚乙烯瓶封裝。
99.999%碲化鎘CdTe粉末:-60/+120目，顆粒：1-6mm
1,技術(shù)對接： THM 移動式加熱合成工藝（優(yōu)越于CVD化學氣相沉積工藝）
2,檢驗：ICP-MS；激光粒度分析儀，掃描電鏡。
3,服務：提供實用的防護措施，提供材料應用解決方案。
（特別是CSS,VTD升華工藝制備碲化鎘薄膜）
4，物理性質(zhì)：
分子量：240.01
禁帶寬度：1.44 eV
折射率：2.57
密度：5.85 g/cm3
熔點：1092℃
沸點：1130℃
5，規(guī)格：
碲化鎘：CdTe-05 純度99.999%以上，銀，鋁，砷，鉍，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅，鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm；
碲化鎘：CdTe-06 純度99.9999%以上，銀，鋁，砷，鉍，銅，鐵，鎂，鎳，鉛，硒，硅雜質(zhì)總含量小于1ppm。
6，物理性狀：黑色塊或粉末。
7，用途：
用于制作紅外調(diào)制器，HgxCd1-xTe襯底，紅外窗場致發(fā)光器件，光電池，紅外探測，X射線探測，核放射性探測器，太陽能電池，接近可見光區(qū)的發(fā)光器件。
8，包裝：滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或聚乙烯瓶封裝。
關(guān)鍵字： 99.999%碲化鎘，碲化鎘，CdTe
公司12年來共研制開發(fā)出40余項半導體化合物材料：
碲系化合物：
碲化銅(CuTe)，碲化銦( InTe)，碲化鋅(ZnTe)，P/N三碲化二鉍(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)...
硫系化合物：
三硫化二鎵(Ga2S3)，二硫化鍺(GeS2)，硫化鋅(ZnS)，硫化錫(SnS)，三硫化二銦(In2S3)，硫化亞銅（Cu2S）...
無氧硒及硒系化合物:
三硒化二鎵(Ga2Se3)，硒化亞銅(Cu2Se)，三硒化二銦(In2Se3)，硒化鋅(ZnSe)，硒化鉍(Bi2Se3)...
氯系化合物：
無水三氯化銦(InCl3)，無水三氯化鎵(GaCl3)，無水氯化亞銦(InCl)...
氧系化合物：
4N-5N三氧化二鎵(Ga2O3)，4N-5N氧化鋅(ZnO)，5N-6N 三氧化二銦(In2O3)，5N 三氧化二鉍(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二銻（Sb2O3）...
銅銦鎵硒（CIGS