對(duì)于柵介質(zhì)層,由于其厚度一般在10nm以下,ALD技術(shù)成為制備柵介質(zhì)層的首選,已經(jīng)用于Intel 45nm節(jié)點(diǎn)的MOS管的制備過(guò)程中。相較于CVD、PVD,ALD可以原子級(jí)厚度水平控制膜層的沉積,存儲(chǔ)介質(zhì)可通過(guò)ALD或CVD技術(shù)制成,而ALD具有優(yōu)越的階梯覆蓋能力,在高深寬比的DRAM中其應(yīng)用將不斷增加。
本公司提供和開發(fā)CVD/ALD所需的前驅(qū)體源,包括可用于沉積高k柵介質(zhì)層HfO?、用于存儲(chǔ)介質(zhì)層的ZrO?、TiO?、Ta?O?等材料的前驅(qū)體。以下為本公司在售的部分前驅(qū)體材料:
蘇州龍揚(yáng)生化科技有限公司
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