二氟化氙
中文名稱二氟化氙
中文同義詞二氟化氙;四氟化氙
英文名稱XENONDIFLUORIDE英文
同義詞XENON(II)FLUORIDE;XENONDIFLUORIDE;XeF4;Xenonfluoride(XeF4);Xenonfluoride(XeF4),(T-4)-;xenontetrafluoride;XENONDIFLUORIDE,ELECTRONICGRADE;Tetrafluoroxenon
CAS號13709-61-0
分子式F2Xe
分子量169.29EINECS號237-260-1相關(guān)類別半導體制程材料;
電子化學品Mol
文件13709-61-0.mol
結(jié)構(gòu)式二氟化氙性質(zhì)熔點129°C(lit.)沸點115.73°C(estimate)密度4.32g/mLat25°C(lit.)蒸氣壓3.8mmHg(25°C)形態(tài)colorlessmonocliniccrystals水溶解性reactsviolentlywithH2O,formingXe,O2,HF,andXeO3[DOU83]二氟化氙用途與合成方法概述無色透明四方晶體。相對密度4.32(25/4℃),熔點129℃,固體蒸氣壓為4.6×133.322Pa(25℃)。蒸氣也是無色的,有惡臭。易溶于無水氟化氫、氟化亞硝酰?三(氟化氫)和五氟化碘,但不發(fā)生電離。能被氫還原生成氙和氟化氫。與氟反應(yīng)生成四氟化氙或六氟化氙。遇水則水解,過程很復雜。在日光直射下,氙與氟反應(yīng)而制得。
用途制備一種二氟化氙氣相刻蝕阻擋層,包括如下步驟:(1)將二氟化氙氣體噴灑到裸露的阻擋層的表面;(2)采用光束僅照射電介質(zhì)層上表面的阻擋層,使電介質(zhì)層上表面的阻擋層的刻蝕速率高于溝槽和連接孔側(cè)壁上的阻擋層的刻蝕速率。本發(fā)明通過向電介質(zhì)層上表面的阻擋層照射光束,提高了電介質(zhì)層上表面的阻擋層的刻蝕速率,使電介質(zhì)層上表面的阻擋層的刻蝕速率高于溝槽和連接孔側(cè)壁上的阻擋層的刻蝕速率,避免溝槽和連接孔側(cè)壁上的阻擋層過度刻蝕,提高了微觀上的刻蝕均勻性,達到了更好的工藝效果。安全信息危險品標志O,T+危險類別碼8-25-26-34安全說明17-26-28-36/37/39-45
危險品運輸編號UN30875.1/PG2WGKGermany3RTECS號ZE1294166F1-10危險等級5.1包裝類別IMSDS信息提供商語言SigmaAldrich英文ACROS英文ALFA中文ALFA英文二氟化氙
上下游產(chǎn)品信息
下游產(chǎn)品氟化鈰
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