銦(In)Indium 技術(shù)對(duì)接:陽(yáng)極泥--富集,萃取--電解--高頻加熱(除去熔點(diǎn)較低的雜質(zhì)) 檢驗(yàn):ICP-MS;請(qǐng)見下面的檢驗(yàn)單。 1,物理性質(zhì): 原子量:114.818 電負(fù)性:1.78 密度:7.31 g/cm3(20℃)(0-100℃) 熔點(diǎn):156.5985℃ 沸點(diǎn):2072℃ 2,規(guī)格: 化學(xué)純度: 高純銦:In-05純度99.999%以上,銀,鋁,砷,鎘,銅,鐵,鎂,鎳,鉛,硫,硅,錫,鉈,鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm; 超純銦:In-06純度99.9999%以上,鎘,銅,鐵,鎂,鉛,硫,硅,錫雜質(zhì)總含量小于1ppm; 超高純銦:In-07純度99.99999%以上,銀,鎘,銅,鐵,鎂,鎳,鉛,鋅雜質(zhì)總含量小于0.1ppm; 3,物理性狀:棒,錠,片,粒,丸。 4,用途: 主要用于制備III-V族化合物半導(dǎo)體,高純合金,超低溫冷卻,晶體管基極以及鍺,硅單晶的摻雜劑,銦封,ITO,核輻射安全監(jiān)控,電接觸元件,焊料等。 5,包裝:滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或聚乙烯瓶真空封裝。
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