司19年來共研制開發(fā)出40余項半導體化合物材料： 碲系化合物： 碲化鎘(CdTe), 碲化鉛(PbTe), 碲化銅(CuTe)，碲化銦( InTe)， 碲化鋅(ZnTe)，P/N三碲化二鉍(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)，碲鎘鋅 (CdZnTe). 硫系化合物： 硫化鉛(PbS)，三硫化二鎵(Ga2S3)，二硫化鍺(GeS2)，硫化鋅(ZnS)，硫化錫(SnS)，三硫化二銦(In2S3) 無氧硒及硒系化合物: 無氧硒(Se)粒，硒化鎘(CdSe)，三硒化二鎵(Ga2Se3)，硒化亞銅(Cu2Se)，三硒化二銦(In2Se3)，硒化鉛(PbSe)，硒化鋅(ZnSe)，硒化鉍(Bi2Se3). 氯系化合物： 無水三氯化銦(InCl3),無水三氯化鎵(GaCl3),無水氯化亞銦(InCl) 氧系化合物： 4N-5N三氧化二鎵(Ga2O3),4N-5N氧化鋅(ZnO),5N-6N 三氧化二銦(In2O3) 5N 三氧化二鉍(Bi2O3) 銅銦鎵硒（CIGS）系列材料. 靶材：碲化鎘靶，氧化鋅靶，氧化鋅鋁靶，銅銦鎵硒靶，三硒化二銦靶，硒化銅靶材。。。 硫化鋰 公司現(xiàn)有工藝及設備： 1，電解裝置4套：回收電解銅，電解鉛鋅礦的陽極泥；高純銦的電解，特別是除去里面的雜質錫。 2, 真空蒸餾裝置12套：根據雜質不同的飽和蒸氣壓，采用真空蒸餾的方法將其去除。