硒化銦性質(zhì)熔點(diǎn)890°C密度5.67g/mLat25°C(lit.)形態(tài)lumps顏色Silver-gray水溶解性Insolubleinwater.CAS數(shù)據(jù)庫(kù)12056-07-4(CASDataBaseReference)EPA化學(xué)物質(zhì)信息Indiumselenide(In2Se3)(12056-07-4)硒化銦用途與合成方法應(yīng)用銦硒化物又叫硒化銦。硒化銦是典型的二維層狀半導(dǎo)體材料，帶隙范圍為1.24-1.54eV，具體的帶隙范圍取決于層數(shù)。硒化銦薄膜具有優(yōu)異的電子和光電特性。對(duì)于硒化銦物理性質(zhì)的研究已經(jīng)付出了相當(dāng)大的努力。已有報(bào)道已經(jīng)證明，暴露于環(huán)境條件下的二維材料器件由于界面引起的額外的散射而顯著的降低了載流子遷移率。作用高k電介質(zhì)可以有效的屏蔽二維場(chǎng)效應(yīng)晶體管的庫(kù)倫雜質(zhì)散射(CI)。多層硒化銦晶體管顯示出高場(chǎng)效應(yīng)遷移率，AlO電介質(zhì)可以降低庫(kù)倫散射。硒化銦場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電學(xué)穩(wěn)定性在實(shí)際應(yīng)用中起著至關(guān)重要的作用，而電學(xué)穩(wěn)定性體現(xiàn)在傳輸特性的滯后作用中。