37348-16-6
中文名稱
溴化氫
英文名稱
HYDROBROMIC ACID >33% IN ACETIC ACID
CAS
37348-16-6
分子式
BrH
分子量
80.9119
MOL 文件
37348-16-6.mol
更新日期
2024/12/19 11:13:05
37348-16-6 結(jié)構(gòu)式
基本信息
中文別名
氫溴酸 100ML溴化氫, 33% 乙酸溶液
溴化氫, 33 WT.% 乙酸溶液, 超純
英文別名
HYDROBROMIC ACID >33% IN ACETIC ACIDAcetic acid, mixt. with hydrobromic acid
Hydrogen bromide [33 wt% solution in glacial acetic acid]
Hydrogen bromide, 33 wt.% solution in acetic acid, extra pure
Hydrogen broMide, pure, 33 wt.% solution in glacial acid, AcroSeal
Hydrogen bromide, 33 wt.% solution in glacial acid, AcroSeal, pure
物理化學(xué)性質(zhì)
密度1.40 g/mL at 20 °C(lit.)
閃點65 °C
水溶解性Miscible with water, alcohol and organic solvents.
暴露限值ACGIH: TWA 10 ppm; STEL 15 ppm
OSHA: TWA 10 ppm(25 mg/m3)
NIOSH: IDLH 50 ppm; TWA 10 ppm(25 mg/m3); STEL 15 ppm(37 mg/m3)
OSHA: TWA 10 ppm(25 mg/m3)
NIOSH: IDLH 50 ppm; TWA 10 ppm(25 mg/m3); STEL 15 ppm(37 mg/m3)
安全數(shù)據(jù)
常見問題列表
無機化合物
溴化氫是一種無機化合物，化學(xué)式為HBr，無色有刺激性臭味氣體。有毒，易溶于水，水溶液稱為氫溴酸。易被液化。氫溴酸是強酸，暴露在空氣中或在光的作用下，顏色逐漸變深。它具有強還原性，能被空氣中的氧及其他氧化劑氧化為溴，露于空氣及日光中因溴游離，色漸變暗。溴化氫還具有強酸性，除鉑、金和鉭等金屬外，對其他金屬皆能腐蝕，生成金屬溴化物。
化學(xué)反應(yīng)
溴化氫在水溶液總和氣相中都有強酸性，在水中其Ka = 109：HBr + H2O —→ H3O+ + Br-
HBr(aq) + Fe —→ FeBr2 + H2↑
Mg3N2(s) + 6HBr(g) —→ 3MgBr2 + 2NH3
溴化氫有還原性：
HBr + HBrO —△→ H2O + Br2↑
5HBr + HBrO3 —△→ 3H2O + 3Br2↑
合成方法
(1) 由氫(H2)和溴(Br2)直接化合。(2) 由溴化鈉(NaBr)與稀硫酸(H2SO4)作用。
(3) 由三溴化磷(PBr3)水解制得：PBr3 + 3H2O → H3PO3 + 3HBr
應(yīng)用領(lǐng)域
溴化氫在化工工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用，主要用于有機合成反應(yīng)中作為催化劑和試劑。在半導(dǎo)體工藝中，電子級溴化氫被用作清潔劑、蝕刻劑、摻雜劑和氫原子源，以實現(xiàn)半導(dǎo)體器件的制備和加工。其高純度和穩(wěn)定性對半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響。電子級溴化氫是一種用于半導(dǎo)體制造的高純度溴化氫，具有以下性質(zhì)和特點：
1、高純度：電子級溴化氫的純度要求極高，通常需要去除金屬離子、揮發(fā)性有機物和微粒等雜質(zhì)，以確保不會對半導(dǎo)體工藝產(chǎn)生負面影響。
2、低金屬離子含量：金屬離子對半導(dǎo)體工藝有害，因此電子級溴化氫需要保持極低的金屬離子含量，通常在ppb（十億分之一）或更低的水平。
3、低揮發(fā)性有機物含量：揮發(fā)性有機物可能污染半導(dǎo)體材料表面，因此電子級溴化氫要求其含量極低，通常在ppb或更低的水平。
4、嚴格的微粒控制：微?？赡軐?dǎo)致半導(dǎo)體器件的缺陷，因此電子級溴化氫需要經(jīng)過嚴格的過濾和處理，以確保微粒的數(shù)量控制在極低水平。
5、穩(wěn)定性和可靠性：電子級溴化氫需要保持穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，并且在長期存儲和使用過程中不會產(chǎn)生變化，以確保半導(dǎo)體工藝的可靠性和重復(fù)性。
二、在半導(dǎo)體工藝中，電子級溴化氫主要用于以下方面：
1、表面清潔：溴化氫可以用于清洗半導(dǎo)體表面，去除氧化物和有機殘留物，以準備進行下一步的工藝步驟。
2、蝕刻：溴化氫可用作半導(dǎo)體材料的蝕刻劑，在特定條件下對材料進行選擇性蝕刻，用于圖案形成和器件制備。
3、摻雜：溴化氫可用于半導(dǎo)體材料的摻雜過程，通過溴化氫對材料的摻雜，可以改變材料的電學(xué)性質(zhì)，例如調(diào)節(jié)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。
4、氫原子源：溴化氫可以作為氫原子的來源，在半導(dǎo)體工藝中用于氫原子注入，以改變材料的化學(xué)性質(zhì)或修復(fù)材料的缺陷。