12024-14-5
中文名稱
碲化鎵
英文名稱
GALLIUM TELLURIDE
CAS
12024-14-5
分子式
GaTe
分子量
197.32
MOL 文件
12024-14-5.mol
更新日期
2024/12/10 08:46:18
12024-14-5 結(jié)構(gòu)式
基本信息
中文別名
碲化鎵一碲化鎵
碲化鎵GATE
碲化鎵(II)
碲化鎵(II), 痕量分析
碲化鎵, 99.999% (METALS BASIS)
碲化鎵(II), 99.999% (METALS BASIS)
英文別名
GALLIUM TELLURIDEII)GALLIUM TELLURIDE
GALLIUM(II) TELLURIDE
Gallium monotelluride
galliumtelluride(gate)
Gallium(II) telluride lump
Gallium(II) telluride (GaTe)
Gallium(II) telluride 99.999%
GALLIUM TELLURIDE ISO 9001：2015 REACH
Cobalt Silicide (CoSi2) Sputtering Targets
所屬類別
無機(jī)化工：硫族化合物物理化學(xué)性質(zhì)
熔點(diǎn)824°C
密度5.440
形態(tài)單斜晶體
顏色monoclinic crystals, crystalline
水溶解性Insoluble in water.
敏感性濕氣敏感
暴露限值ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
EPA化學(xué)物質(zhì)信息Gallium telluride (GaTe) (12024-14-5)
安全數(shù)據(jù)
警示詞警告
危險(xiǎn)性描述H302+H312+H332
危險(xiǎn)品標(biāo)志Xn
危險(xiǎn)類別碼22-36/37/38
安全說明22-24/25
TSCAYes
海關(guān)編碼2853909090
常見問題列表
簡介
碲化鎵（GaTe）中陽離子空位對晶體管性能的影響機(jī)制，并且通過抑制這種作用，獲得了一種高性能的光電晶體管器件。GaTe是一個(gè)重要的III-VI族半導(dǎo)體層狀化合物材料，直接帶隙約1.7eV，在光電子器件、輻射探測器及太陽能電池領(lǐng)域極具應(yīng)用研究價(jià)值。然而由于其復(fù)雜的單斜晶體結(jié)構(gòu)及晶體的高度各向異性，使其在樣品制備及器件加工方面存在一定的困難，目前少有關(guān)于GaTe納米片的光電性能研究。制備
一種二維碲化鎵材料的制備方
法，其特點(diǎn)是采用以下步驟：步驟一、采用垂直布里奇曼晶體生長法，將Ga:Te按物質(zhì)的量比1:1進(jìn)行配料，制備GaTe單晶體。步驟二、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，選取大塊表面光
滑無褶皺的GaTe體材料，并沿自然解理面將其分離為多塊。步驟三、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，使用思高膠帶從表層光亮、損傷較小的GaTe塊體材料表面撕離一塊厚度約為6-8μm的GaTe薄片。步驟四、在Ar氣氛下的米開羅那Universal2440-750手套箱內(nèi)，將帶有GaTe薄片的思高膠帶多次粘合分離，直至膠帶表面不再光亮，成功附著較為密集的數(shù)百納米厚度的GaTe片層。碲化鎵價(jià)格(試劑級)
| 報(bào)價(jià)日期 | 產(chǎn)品編號 | 產(chǎn)品名稱 | CAS號 | 包裝 | 價(jià)格 |
| 2024/11/11 | XW120241451 | 碲化鎵(II) | 12024-14-5 | 1G | 85元 |
| 2024/11/08 | 041881 | 碲化鎵(II), 99.999% (metals basis) Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis) | 12024-14-5 | 1g | 1618元 |
| 2024/11/08 | 041881 | 碲化鎵(II), 99.999% (metals basis) Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis) | 12024-14-5 | 5g | 5475元 |